STMicroelectronics MDmesh M2 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 25 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 906-2779P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF12N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 245 | CHF 1.242 |
| 250 - 495 | CHF 1.111 |
| 500 + | CHF 0.96 |
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- RS Best.-Nr.:
- 906-2779P
- Herst. Teile-Nr.:
- STF12N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -25V, +25V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -25V, +25V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 16.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics
Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).