STMicroelectronics STripFET F7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 94 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 906-2855P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL90N6F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 906-2855P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL90N6F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 94W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.4mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie STripFET F7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 94W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.4mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal STripFET™ Serie F7, STMicroelectronics
Die Niederspannungs-MOSFETs der Serie STripFET™ F7 von STMicroelectronics verfügen über einen geringeren Widerstand bei eingeschaltetem Bauelement, mit reduzierter innerer Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten.