Infineon OptiMOS 2 IPP16CN10N G N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 10,6 A 100 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 906-2903P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP16CN10NGXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 20 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.22.42
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 90 | CHF.1.121 |
| 100 - 190 | CHF.0.949 |
| 200 - 490 | CHF.0.879 |
| 500 + | CHF.0.828 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 906-2903P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP16CN10NGXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10,6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 100 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.57mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.36mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10,6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 16,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 100 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 36 nC @ 10 V | ||
Breite 4.57mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.36mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 15.95mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||