Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 906-4292P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC039N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 9.80
Auf Lager
- 14'350 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 + | CHF 0.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 906-4292P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC039N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC039N06NSATMA1
Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Schaltgerät, das für Hochstromanwendungen entwickelt wurde und einen robusten Betrieb über einen breiten Temperaturbereich bietet. Er ist für die Oberflächenmontage vorgesehen und bietet eine effiziente Leitungs- und Schaltleistung für anspruchsvolle elektronische Systeme.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 5.9 mΩ ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 100 A für die Handhabung schwerer Lasten
• 60 V Drain-Source-Nennleistung für robusten Spannungsbereich
• Geringe Gate-Ladung von 27 nC ermöglicht schnelleres Schalten und geringere Antriebsenergie
• Maximale Verlustleistung 69 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 100 A für die Handhabung schwerer Lasten
• 60 V Drain-Source-Nennleistung für robusten Spannungsbereich
• Geringe Gate-Ladung von 27 nC ermöglicht schnelleres Schalten und geringere Antriebsenergie
• Maximale Verlustleistung 69 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
Anwendungsbereich
• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Verwendung mit DC/DC-Wandlern in Telekommunikationsgeräten
• Kann für Server- und Rechenzentren-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schalt- und Energiemanagementbaugruppen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Verwendung mit DC/DC-Wandlern in Telekommunikationsgeräten
• Kann für Server- und Rechenzentren-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schalt- und Energiemanagementbaugruppen
Welche thermischen Extreme kann das Gerät im Betrieb tolerieren?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode sind für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Die Komponente wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage und Reflow-Lötprozesse konzipiert ist.
Was ist der Kanalmodus und wie wirkt er sich auf die Schaltung aus?
Er verwendet eine N-Kanal-Konfiguration im Enhancement-Modus, für die ein positiver Gate-Source-Antrieb erforderlich ist, und bietet herkömmliche Low-Side- und High-Side-Schalttopologiekompatibilität.
Welche Gate-Drive-Spannungsbegrenzung muss bei der Konstruktion beachtet werden?
Die maximal zulässige Gate-to-Source-Spannung beträgt 20 V, und die Designs sollten die Gate-Exkursionen innerhalb dieses Schwellenwerts halten, um Schäden zu vermeiden.