Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 83 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 906-4296P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC028N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 906-4296P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC028N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20, JESD22), RoHS | |
| Breite | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen Pb Free, Halogen Free (IEC61249-2-21), JEDEC (J-STD20, JESD22), RoHS | ||
Breite 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 5, 137 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 100 W maximale Verlustleistung - BSC028N06NSATMA1
Dieser Hochleistungs-MOSFET eignet sich für Anwendungen, bei denen es auf Effizienz und Zuverlässigkeit ankommt. Mit einem maximalen Dauerstrom von 137 A und einer Durchbruchsspannung von 60 V eignet er sich hervorragend für Power-Management-Systeme und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für Fachleute in der Automatisierung und Elektronik. Sein erweiterter Gate-Schwellenspannungsbereich fördert die präzise Schaltleistung und gewährleistet einen effektiven Betrieb in verschiedenen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Unterstützt Hochleistungsanwendungen mit einer maximalen Verlustleistung von 100 W
• Niedriger RDS(on) von 4,2mΩ für verbesserte Effizienz
• N-Kanal-Konfiguration für verbesserte Leistung
• TDSON-Paket für effektives Wärmemanagement
• Minimale Betriebstemperatur von -55°C, ideal für extreme Bedingungen
• Lawinengeprüft für Langlebigkeit unter transienten Bedingungen
Anwendungsbereich
• Verwendet in synchronen Gleichrichterschaltungen für Stromversorgungen
• Geeignet für Elektrofahrzeuge und industrielle Automatisierung
• Anwendung in Schaltnetzteilen zur effektiven Energieumwandlung
• Einsatz in USV-Systemen für zuverlässige Stromversorgungslösungen
• Geeignet für DC-DC-Wandler und Wechselrichter in erneuerbaren Energiesystemen
Was ist der geeignete Temperaturbereich für den Betrieb?
Er arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und eignet sich für unterschiedliche Umgebungsbedingungen.
Wie funktioniert das Wärmemanagement dieser Komponente?
Das TDSON-Gehäuse des Bausteins optimiert den Wärmewiderstand und sorgt für eine effiziente Wärmeableitung während des Betriebs.
Welche Gate-Spannung ist für eine optimale Leistung erforderlich?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±20V, während die Gate-Schwellenspannung zwischen 2,1V und 3,3V liegt, was eine effektive Ansteuerung ermöglicht.
Kann es in Hochfrequenz-Schaltanwendungen eingesetzt werden?
Ja, er ist mit dynamischen Eigenschaften ausgestattet, die das Schalten mit hohen Frequenzen unterstützen, so dass er sich für moderne elektronische Designs eignet.
Welche Sicherheitsvorkehrungen gibt es gegen elektrische Überlastungen?
Es ist für industrielle Anwendungen validiert und vollständig avalanche-getestet, was eine Sicherheit gegen transiente Stromspitzen bietet.