Infineon OptiMOS 5 BSC010N04LSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 139 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 906-4381P
Herst. Teile-Nr.:: BSC010N04LSATMA1
Marke:: Infineon

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Produktdetails

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™5

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	100 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	TDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	1,3 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Verlustleistung max.	139 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	5.35mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	95 nC @ 10V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	6.1mm
Höhe	1.1mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Serie	OptiMOS 5
Diodendurchschlagsspannung	1V