STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 906-4680
- Herst. Teile-Nr.:
- STP100N6F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.7.88
Auf Lager
- Zusätzlich 1’420 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.788 | CHF.7.92 |
| 50 - 90 | CHF.0.767 | CHF.7.71 |
| 100 - 240 | CHF.0.756 | CHF.7.51 |
| 250 - 490 | CHF.0.735 | CHF.7.31 |
| 500 + | CHF.0.714 | CHF.7.14 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 906-4680
- Herst. Teile-Nr.:
- STP100N6F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STripFET F7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.15mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ Serie F7, STMicroelectronics
Die Niederspannungs-MOSFETs der Serie STripFET™ F7 von STMicroelectronics verfügen über einen geringeren Widerstand bei eingeschaltetem Bauelement, mit reduzierter innerer Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 140 A 125 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 140 A 125 W, 8-Pin STL140N6F7 PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin STB100N6F7 TO-263
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 158 W, 3-Pin STP140N6F7
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 160 W, 3-Pin STP130N6F7
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 94 W, 8-Pin PowerFLAT