STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 158 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 906-4693P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP140N6F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | CHF.2.153 |
| 50 - 120 | CHF.1.943 |
| 125 - 245 | CHF.1.743 |
| 250 + | CHF.1.659 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 906-4693P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP140N6F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 158W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie STripFET F7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 158W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ Serie F7, STMicroelectronics
Die Niederspannungs-MOSFETs der Serie STripFET™ F7 von STMicroelectronics verfügen über einen geringeren Widerstand bei eingeschaltetem Bauelement, mit reduzierter innerer Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten.