STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 907-4741P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT30N120
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 1 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.14.746
Nur noch Restbestände
- Letzte 316 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | CHF.14.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 907-4741P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT30N120
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 3.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 270W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 3.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 270W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 20.15mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET aus Siliziumkarbid (SiC), STMicroelectronics
MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC) besitzen einen sehr niedrigen Widerstand zwischen Drain und Quelle im eingeschalteten Zustand für die 1200-V-Ausführung in Kombination mit ausgezeichneter Schaltleistung, was zu effizienteren und kompakteren Systemen führt.