Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.7 A 83 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 914-0223P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R1K0CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 914-0223P
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- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 5,7A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 83W maximale Verlustleistung - IPD80R1K0CEATMA1
Dieser MOSFET bietet Lösungen für das Leistungsmanagement und die allgemeine Elektronik und nutzt die fortschrittliche CoolMOS CE-Technologie mit Hochspannungsfähigkeiten bis zu 800 V. Er zeichnet sich durch einen hohen Wirkungsgrad und einen niedrigen Durchlasswiderstand aus, wodurch das Design optimiert und die Zuverlässigkeit erhöht wird.
Eigenschaften und Vorteile
• Erhöhte Leistungsdichte ermöglicht kompaktere Systemdesigns
• Geringerer Kühlungsbedarf führt zu Kosteneinsparungen bei den Systemen
• Niedrigere Betriebstemperaturen erhöhen die Zuverlässigkeit des Systems
• Hohe Spitzenstromfähigkeit unterstützt anspruchsvolle Anwendungen
• Zuverlässiger dv/dt-Wert gewährleistet Stabilität bei schnellen Spannungsänderungen
• Entspricht den RoHS-Normen für umweltverträglichen Einsatz
Anwendungsbereich
• Verwendung in LED-Beleuchtungslösungen für Nachrüstungsinstallationen
• Geeignet für QR-Flyback-Topologie in Stromversorgungen
• Wirksam in Kraftfahrzeug-Stromverteilungssystemen
• Ideal für verschiedene industrielle Hochspannungsanwendungen
Wie verbessert der MOSFET die Systemleistung beim Energiemanagement?
Sie verbessert die Leistungsdichte und verringert die thermischen Anforderungen, was zu einem höheren Wirkungsgrad und geringeren Energieverlusten im Betrieb führt.
Welche Vorteile bietet die Verwendung dieses Geräts in LED-Beleuchtungsanwendungen?
Es bietet eine zuverlässige Leistung bei geringerer Wärmeentwicklung und trägt so zur Langlebigkeit und Stabilität von Beleuchtungssystemen bei.
Ist dies mit Hochfrequenzanwendungen kompatibel?
Ja, seine niedrige Gate-Ladung und sein hoher Spitzenstrom machen ihn für Hochfrequenzbetrieb geeignet und sorgen für minimale Schaltverluste.
Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Ableitstrom für dieses Gerät?
Der maximale Dauerstrom liegt bei 5,7 A und eignet sich damit für verschiedene stromintensive Anwendungen.
In welchem Temperaturbereich kann es arbeiten?
Er arbeitet effektiv zwischen -55°C und +150°C und ist vielseitig in verschiedenen Umgebungen einsetzbar.