Wolfspeed C2M1000170J N-Kanal, SMD MOSFET 1700 V / 5,3 A 78 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 915-8833
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M1000170J
- Marke:
- Wolfspeed
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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)
CHF.7.97
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 2 - 8 | CHF.7.97 | CHF.15.939 |
| 10 - 18 | CHF.7.476 | CHF.14.952 |
| 20 - 48 | CHF.7.298 | CHF.14.595 |
| 50 - 98 | CHF.7.098 | CHF.14.207 |
| 100 + | CHF.6.899 | CHF.13.797 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 915-8833
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M1000170J
- Marke:
- Wolfspeed
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.
• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb
MOSFET-Transistoren, Wolfspeed
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1700 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 7 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,4 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 78 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –10 V, +25 V |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 10.23mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 10.99mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 3.8V |
| Höhe | 4.57mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 915-8833
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M1000170J
- Marke:
- Wolfspeed