Wolfspeed C2M1000170J N-Kanal, SMD MOSFET 1700 V / 5,3 A 78 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 915-8833P
Herst. Teile-Nr.:: C2M1000170J
Marke:: Wolfspeed

Wolfspeed C2M1000170J N-Kanal, SMD MOSFET 1700 V / 5,3 A 78 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Preis pro Stück (in Stange(n))

CHF.7.476

Stück	Pro Stück
10 - 18	CHF.7.476
20 - 48	CHF.7.298
50 - 98	CHF.7.098
100 +	CHF.6.899

RS Best.-Nr.:: 915-8833P
Herst. Teile-Nr.:: C2M1000170J
Marke:: Wolfspeed

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.

• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb

MOSFET-Transistoren, Wolfspeed

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5,3 A
Drain-Source-Spannung max.	1700 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	7
Drain-Source-Widerstand max.	1,4 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	78 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–10 V, +25 V
Breite	10.99mm
Transistor-Werkstoff	SiC
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	13 nC @ 20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	10.23mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	3.8V
Höhe	4.57mm

RS Best.-Nr.:: 915-8833P
Herst. Teile-Nr.:: C2M1000170J
Marke:: Wolfspeed