Wolfspeed C3M0065090D N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 36 A 125 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 915-8836P
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0065090D
- Marke:
- Wolfspeed
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Preis pro Stück (in Stange(n))
CHF.16.139
| Stück | Pro Stück |
| 5 - 9 | CHF.16.139 |
| 10 - 29 | CHF.15.729 |
| 30 - 89 | CHF.15.288 |
| 90 + | CHF.14.91 |
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.
• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb
MOSFET-Transistoren, Wolfspeed
Technische Daten
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 36 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 78 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V |
| Verlustleistung max. | 125 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +18 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 16.13mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 30,4 nC @ 15 V |
| Breite | 21.1mm |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
| Höhe | 5.21mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 4.8V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |