Microchip 2N7008 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 230 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 916-3721
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7008-G
- Marke:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 916-3721
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7008-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | 2N7008 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.08mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.06 mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie 2N7008 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.08mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.06 mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
2N7008 N-Kanal-MOSFET-Transistoren
Der Microchip 2N7008 ist ein Anreicherungstyptransistor (normalerweise aus), der eine vertikale DMOS-Struktur verwendet. Das Design kombiniert die Strombelastbarkeit eines bipolaren Transistors mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizient von MOS-Geräten.
Merkmale
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderungen an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
MOSFET-Transistoren, Microchip
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