Microchip Einfach DN2625 Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 250 V Entleerung / 1.1 A, 8-Pin DFN

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Herst. Teile-Nr.:
DN2625DK6-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

DN2625

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.04nC

Durchlassspannung Vf

1.8V

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.85mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

DN2625 N-Kanal-MOSFET-Transistoren


Der Microchip DN2625 ist ein Verarmungstyp-MOSFET-Transistor (normalerweise ein), der eine erweiterte vertikale DMOS-Struktur verwendet. Das Design kombiniert die Strombelastbarkeit eines bipolaren Transistors mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizient von MOS-Geräten.

Merkmale


Niedrige Gate-Schwellenspannung

Entwickelt für Quellenantrieb

Niedrige Schaltverluste

Niedrige effektive Ausgangskapazität

Entwickelt für induktive Lasten

MOSFET-Transistoren, Microchip


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