Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.2 A 540 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 919-4731
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2402TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- 919-4731
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- IRLML2402TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 540mW | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 540mW | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.02mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 25 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
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