Infineon HEXFET IRFP250NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 919-4810
Herst. Teile-Nr.:: IRFP250NPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFP250NPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 30 A 214 W, 3-Pin TO-247AC

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Ursprungsland:: MX

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	TO-247AC
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	75 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	214 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	123 nC @ 10 V
Breite	5.3mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	15.9mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	20.3mm

RS Best.-Nr.:: 919-4810
Herst. Teile-Nr.:: IRFP250NPBF
Marke:: Infineon