Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 87 A 200 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 919-4851
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ24NPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.24.25
- 1'300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.485 | CHF 24.24 |
| 100 - 200 | CHF 0.374 | CHF 18.69 |
| 250 - 450 | CHF 0.354 | CHF 17.47 |
| 500 - 1200 | CHF 0.323 | CHF 16.26 |
| 1250 + | CHF 0.303 | CHF 15.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 919-4851
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ24NPBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.009Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.54mm | |
| Breite | 4.69mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC TO-220AB | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.009Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.54mm | ||
Breite 4.69mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC TO-220AB | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 17A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 45W maximale Verlustleistung - IRFZ24NPBF
Eigenschaften und Vorteile
Anwendungsbereich
Welcher Betriebstemperaturbereich ist für eine optimale Leistung geeignet?
Wie kann ich dies in meinen aktuellen Schaltkreisentwurf integrieren?
Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Installation zu treffen?
Kann es dauerhaft hohe Ströme verarbeiten?
Welche Parameter sollte ich für einen optimalen Betrieb überwachen?
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 87 A 200 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon Einfach HEXFET Typ N-Kanal 1 MOSFET Erweiterung, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 270 A, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 18 A 45 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 370 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon Einfach HEXFET Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 150 V Erweiterung / 35 A, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 92 A 370 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
