STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 6.5 A 160 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 920-6579
- Herst. Teile-Nr.:
- STP8NK100Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.141.75
Auf Lager
- 700 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.2.835 | CHF.141.75 |
| 100 - 450 | CHF.2.268 | CHF.113.14 |
| 500 - 950 | CHF.2.016 | CHF.100.91 |
| 1000 - 4950 | CHF.1.701 | CHF.85.21 |
| 5000 + | CHF.1.638 | CHF.81.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 920-6579
- Herst. Teile-Nr.:
- STP8NK100Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1kV | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.85Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1kV | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.85Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.15mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 6,5 A 40 W, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 3,5 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 8 A 160 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 2,5 A 25 W, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8,3 A 230 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 3,5 A 125 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 9 A 160 W, 3-Pin TO-247