STMicroelectronics Einfach STripFET II N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 55 V Erweiterung / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 920-8720
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80NF55L-06
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 920-8720
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | STripFET II | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 55 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 80 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 300 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Höhe | 15.75 mm | |
| Länge | 10.4 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 8 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 16 V, -16 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie STripFET II | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 55 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 80 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 300 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Höhe 15.75 mm | ||
Länge 10.4 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 8 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 16 V, -16 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 4.6 mm | ||
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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