STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 920-8727
- Herst. Teile-Nr.:
- STD1NK60T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.920.00
Auf Lager
- Zusätzlich 12’500 Einheit(en) mit Versand ab 19. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.368 | CHF.913.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 920-8727
- Herst. Teile-Nr.:
- STD1NK60T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.2 mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 4 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2.4 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 6 A 76 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 90 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 11 A 110 W, 3-Pin TO-252