STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 920-8809
- Herst. Teile-Nr.:
- STP60NF06L
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.141 | CHF.57.17 |
| 100 - 450 | CHF.0.929 | CHF.46.41 |
| 500 - 950 | CHF.0.778 | CHF.38.94 |
| 1000 - 4950 | CHF.0.697 | CHF.35.00 |
| 5000 + | CHF.0.576 | CHF.28.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 920-8809
- Herst. Teile-Nr.:
- STP60NF06L
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 9.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
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