MDmesh M5 STL38N65M5 N-Kanal MOSFET, 650 V / 22 A, 2,8 W, PowerFLAT HS 5-Pin

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Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 22 A
Drain-Source-Spannung max. 650 V
Drain-Source-Widerstand max. 105 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 5V
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V
Gehäusegröße PowerFLAT HS
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 5
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 2,8 W
Gate-Ladung typ. @ Vgs 71 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff Si
Breite 8mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Serie MDmesh M5
Höhe 0.95mm
Länge 8mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
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Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF .3.955
(ohne MwSt.)
Stück
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Pro Rolle*
3000 - 12000
CHF.3.955
CHF.11'883.028
15000 +
CHF.3.908
CHF.11'725.056
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