DiodesZetex DMN10H099SFG N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.8 A 2.31 W, 8-Pin PowerDI3333
- RS Best.-Nr.:
- 921-1041
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H099SFG-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H099SFG-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333 | |
| Serie | DMN10H099SFG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.31W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.77V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.35mm | |
| Länge | 3.35mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333 | ||
Serie DMN10H099SFG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.31W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.77V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.35mm | ||
Länge 3.35mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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