DiodesZetex DMN10H099SK3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 34 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 921-1044
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H099SK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 921-1044
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H099SK3-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | DMN10H099SK3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.77V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.7mm | |
| Länge | 6.2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie DMN10H099SK3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Durchlassspannung Vf 0.77V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.7mm | ||
Länge 6.2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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