Das Infineon 6 mO, 1200 V Halbbrückenmodul mit Siliziumkarbid-MOSFET verfügt über NTC-Temperatursensor und Presssitz-Kontakttechnologie. Es ist auch mit thermischem Schnittstellenmaterial erhältlich.
Hohe Stromdichte Geringe induktive Bauweise Niedrige Schaltverluste RoHS-konforme Module