Infineon Intelligentes Leistungsmodull 3-phasig 500 V, 10 A, 20 kHz, 200 W, PQFN (8 x 9 mm), 32-Pin, 20V,
- RS Best.-Nr.:
- 258-4019
- Herst. Teile-Nr.:
- IRSM808-105MH
- Marke:
- Infineon
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- IRSM808-105MH
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Motortyp | Wechselstrommotor | |
| Produkt Typ | Intelligentes Leistungsmodull | |
| Konfiguration | 3-phasig | |
| IGBT Kollectorstrom max. | 10A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 500V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | PQFN (8 x 9 mm) | |
| Ausgangsstrom | 10A | |
| Pinanzahl | 32 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Minimale Versorgungsspannung | -0.3V | |
| Schaltfrequenz typ. | 20kHz | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Serie | IRSM808-105MH | |
| Breite | 8mm | |
| Höhe | 8mm | |
| Inverter-Nennleistung | 200W | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Motortyp Wechselstrommotor | ||
Produkt Typ Intelligentes Leistungsmodull | ||
Konfiguration 3-phasig | ||
IGBT Kollectorstrom max. 10A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 500V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße PQFN (8 x 9 mm) | ||
Ausgangsstrom 10A | ||
Pinanzahl 32 | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Minimale Versorgungsspannung -0.3V | ||
Schaltfrequenz typ. 20kHz | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Serie IRSM808-105MH | ||
Breite 8mm | ||
Höhe 8mm | ||
Inverter-Nennleistung 200W | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon-Halbbrücken-IPM ist ein 10-A-Halbbrückenmodul mit 500 V, das für fortschrittliche Geräte-Motorantriebe wie energieeffiziente Lüfter und Pumpen entwickelt wurde. Die IR-Technologie bietet eine extrem kompakte, leistungsstarke Halbbrückentopologie in einem isolierten Gehäuse. Dieser fortschrittliche IPM bietet eine Kombination aus der IR-FREDFET-Technologie mit niedrigem RDS(on) und dem branchenüblichen Halbbrücken-Hochspannungs- und robusten Treiber in einem kleinen PQFN-Gehäuse. Mit nur 8 x 9 mm und integrierter Bootstrap-Funktionalität ist dieses SMD-Gehäuse dank seiner kompakten Abmessungen für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot geeignet.
Integrierte Gate-Treiber und Bootstrap-Funktionalität
Geeignet für sinusförmige Modulationsanwendungen
FREDFET mit niedriger RDS(on) Schacht
Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
Passende Ausbreitungsverzögerung für alle Kanäle
Optimierte dV/dt für Verlust- und EMI-Abweichungen
Kompatibel mit 3,3-V-Eingangslogik
Aktive hohe HIN und aktive niedrige LIN
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