Nisshinbo Micro Devices RP114x Leistungskontrollschalter Low-Side Low-Side 50 Ω 4-Pin 1 Ausg. DFN (PL)1010-4B
- RS Best.-Nr.:
- 276-987
- Herst. Teile-Nr.:
- RP114K111D-TRB
- Marke:
- Nisshinbo Micro Devices
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- RS Best.-Nr.:
- 276-987
- Herst. Teile-Nr.:
- RP114K111D-TRB
- Marke:
- Nisshinbo Micro Devices
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nisshinbo Micro Devices | |
| Topologie des Netzschalters | Low-Side | |
| Produkt Typ | Leistungskontrollschalter | |
| Schaltertyp | Low-Side | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 50Ω | |
| Montageart | Platine | |
| Gehäusegröße | DFN (PL)1010-4B | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.25V | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Betriebsstrom | 300mA | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | RP114x | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nisshinbo Micro Devices | ||
Topologie des Netzschalters Low-Side | ||
Produkt Typ Leistungskontrollschalter | ||
Schaltertyp Low-Side | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 50Ω | ||
Montageart Platine | ||
Gehäusegröße DFN (PL)1010-4B | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.25V | ||
Pinanzahl 4 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Betriebsstrom 300mA | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie RP114x | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der LDO-Spannungsregler von Nisshinbo Micro Devices besteht aus einer Spannungsreferenzeinheit, einem Fehlerverstärker, Widerständen zur Einstellung der Ausgangsspannung, einer Kurzschlussstrombegrenzungsschaltung, einer Chip-Enable-Schaltung usw. Er verfügt über eine minimale Eingangsspannung von 1,4 V und eine Ausgangsspannung, die von 0,8 V bis 3,6 V eingestellt werden kann. Die Ausgangsspannung dieses ICs ist intern festgelegt. Dieser IC hat eine niedrige Dropout-Spannung durch einen integrierten Transistor mit niedrigem ON-Widerstand.
Hohe Genauigkeit der Ausgangsspannung
Äußerst niedriger Versorgungsstrom
Niedriger Dropout
Hohe Restwelligkeitsunterdrückung
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