STMicroelectronics Power Switch IC High Side Hochspannungsseite 21 V max.
- RS Best.-Nr.:
- 330-240
- Herst. Teile-Nr.:
- STDRIVEG611Q
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 330-240
- Herst. Teile-Nr.:
- STDRIVEG611Q
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Netzschalter-Typ | High Side | |
| Topologie des Netzschalters | Hochspannungsseite | |
| Arbeitsspannnung max. | 21 V | |
| Betriebsstrom max. | 3.5mA | |
| Gehäusegröße | QFN | |
| Pinanzahl | 18 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Netzschalter-Typ High Side | ||
Topologie des Netzschalters Hochspannungsseite | ||
Arbeitsspannnung max. 21 V | ||
Betriebsstrom max. 3.5mA | ||
Gehäusegröße QFN | ||
Pinanzahl 18 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der STMicroelectronics Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Halbbrücken-Gate-Treiber für GaN-Leistungsschalter ist ein Hochspannungs-Halbbrücken-Gate-Treiber für N-Kanal-GaN im Enhancement Mode. Der High-Side-Treiberteil ist für eine Schienenspannung von bis zu 600 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden. Durch die hohe Strombelastbarkeit, die kurze Ausbreitungsverzögerung mit hervorragender Verzögerungsanpassung und die integrierten LDOs ist der STDRIVEG611 für die Ansteuerung von Hochgeschwindigkeits-GaN optimiert.
High-Side- und Low-Side-Linearregler für 6 V Gate-Treiberspannung
Schnelle High-Side-Anlaufzeit 5 μs
45 ns Laufzeitverzögerung und 15 ns Mindestausgangsimpuls
Hohe Schaltfrequenz (größer als 1 MHz)
Eingebettete 600-V-Bootstrap-Diode
Volle Unterstützung des GaN-Hard-Switching-Betriebs
Komparator zur Überstromerkennung mit Smart Shutdown
UVLO-Funktion für VCC, VHS und VLS
Getrennte Logikeingänge und Shutdown-Pin
Fault-Pin für Überstrom-, Übertemperatur- und UVLO-Meldungen
Stand-by-Funktion für niedrigen Verbrauch
Schnelle High-Side-Anlaufzeit 5 μs
45 ns Laufzeitverzögerung und 15 ns Mindestausgangsimpuls
Hohe Schaltfrequenz (größer als 1 MHz)
Eingebettete 600-V-Bootstrap-Diode
Volle Unterstützung des GaN-Hard-Switching-Betriebs
Komparator zur Überstromerkennung mit Smart Shutdown
UVLO-Funktion für VCC, VHS und VLS
Getrennte Logikeingänge und Shutdown-Pin
Fault-Pin für Überstrom-, Übertemperatur- und UVLO-Meldungen
Stand-by-Funktion für niedrigen Verbrauch
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