ROHM Power Switch IC High-Side Hochspannungsseite 650 V max.
- RS Best.-Nr.:
- 646-596
- Herst. Teile-Nr.:
- BM3G005MUV-LBE2
- Marke:
- ROHM
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 646-596
- Herst. Teile-Nr.:
- BM3G005MUV-LBE2
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Netzschalter-Typ | High-Side | |
| Topologie des Netzschalters | Hochspannungsseite | |
| Arbeitsspannnung max. | 650 V | |
| Betriebsstrom max. | 2.2mA | |
| Gehäusegröße | VQFN046V8080 | |
| Pinanzahl | 46 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Netzschalter-Typ High-Side | ||
Topologie des Netzschalters Hochspannungsseite | ||
Arbeitsspannnung max. 650 V | ||
Betriebsstrom max. 2.2mA | ||
Gehäusegröße VQFN046V8080 | ||
Pinanzahl 46 | ||
Die ROHM GaN HEMT Power Stage ist ein Hochleistungsprodukt, das für den Markt für industrielle Geräte entwickelt wurde und eine optimale Lösung für Elektroniksysteme bietet, die eine hohe Leistungsdichte und Effizienz erfordern. Durch die Integration des 650-V-Verbesserungs-GaN-HEMT- und Siliziumtreibers in das Originalgehäuse von ROHM reduziert das Produkt die parasitäre Induktivität, die durch die Leiterplatten- und Drahtbindung verursacht wird, im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen erheblich. Diese Innovation ermöglicht eine hohe Schaltdrehzahl von bis zu 150 V/ns und ist damit die ideale Wahl für Anwendungen, die ein schnelles Schalten und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.
Niedriger VDD-Ruhestrom und Betriebsstrom
Geringe Ausbreitungsverzögerung
Hohe dv/dt-Immunität
Einstellbare Stärke des Torantriebs
Power Good Signal Ausgang
VDD UVLO-Schutz
Zeichen für thermisches System
Geringe Ausbreitungsverzögerung
Hohe dv/dt-Immunität
Einstellbare Stärke des Torantriebs
Power Good Signal Ausgang
VDD UVLO-Schutz
Zeichen für thermisches System
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