Infineon HITFET 1 Leistungsschalter-IC Low-Side Low-Side 135 mΩ 3-Pin 5 Ausg. TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 229-1766
- Herst. Teile-Nr.:
- BTS3060TFATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 229-1766
- Herst. Teile-Nr.:
- BTS3060TFATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Schaltertyp | Low-Side | |
| Topologie des Netzschalters | Low-Side | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 135mΩ | |
| Anzahl der Eingänge | 1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Minimale Versorgungsspannung | -0.3V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 35V | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebsstrom | 4A | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.9mm | |
| Serie | HITFET | |
| Automobilstandard | AEC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Schaltertyp Low-Side | ||
Topologie des Netzschalters Low-Side | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 135mΩ | ||
Anzahl der Eingänge 1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Minimale Versorgungsspannung -0.3V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Maximale Versorgungsspannung 35V | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebsstrom 4A | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Höhe 1.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.9mm | ||
Serie HITFET | ||
Automobilstandard AEC | ||
Der intelligente Infineon Einkanal-Niedrigspannschalter in APG-TO252-3-Gehäuse bietet integrierte Schutzfunktionen. Das Gerät ist monolithisch mit einem vertikalen N-Kanal-MOSFET integriert. Er ist für den Einsatz in der Automobilindustrie zugelassen und kann sowohl in 12-V-Kfz-Anwendungen als auch in industriellen Anwendungen eingesetzt werden. Er ist mit 3,3-V-Mikrocontrollern kompatibel und verfügt über eine aktive Klemmung für den Überspannungsschutz.
Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert
Er verfügt über eine hohe Robustheit
Er hat einen niedrigen DMOS-Leckstrom
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