onsemi Power Switch IC Hochspannungsseite Hochspannungsseite 8.5mΩ 13,5 V max. 1 Ausg.
- RS Best.-Nr.:
- 230-9071
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP45651IMNTWG
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 230-9071
- Herst. Teile-Nr.:
- NCP45651IMNTWG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Netzschalter-Typ | Hochspannungsseite | |
| Topologie des Netzschalters | Hochspannungsseite | |
| Einschaltwiderstand | 8.5mΩ | |
| Arbeitsspannnung max. | 13,5 V | |
| Anzahl der Ausgänge | 1 | |
| Betriebsstrom max. | 14A | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Netzschalter-Typ Hochspannungsseite | ||
Topologie des Netzschalters Hochspannungsseite | ||
Einschaltwiderstand 8.5mΩ | ||
Arbeitsspannnung max. 13,5 V | ||
Anzahl der Ausgänge 1 | ||
Betriebsstrom max. 14A | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Pinanzahl 12 | ||
Die on Semiconductor Serie NCP4565x der Lastmanagementgeräte bietet eine Komponenten- und flächenreduzierende Lösung für effizientes Leistungsbereichs-Schalten mit Einschaltstrombegrenzung über Sanftanlauf. Diese Geräte wurden entwickelt, um Steuerungs- und Treiberfunktionen mit einem leistungsstarken Leistungs-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand in einem einzigen Gehäuse zu integrieren. Diese kostengünstige Lösung ist ideal für Stromüberwachungs- und Trennfunktionen in USB-Anschlüssen, die einen geringen Stromverbrauch bei geringem Platzbedarf erfordern.
Erweiterter Controller mit Ladungspumpe
Integrierter N-Kanal-MOSFET mit niedriger RON
Sanftanlauf über kontrollierte Anstiegsgeschwindigkeit
Einstellbare Anstiegsgeschwindigkeitssteuerung
Power-Good-Ausgang
Thermische Abschaltung
Abschaltung bei Unterspannung
Überstromschutz
Eingangsspannungsbereich: 1 V bis 13,5 V.
Extrem niedriger Standby-Strom
Integrierter N-Kanal-MOSFET mit niedriger RON
Sanftanlauf über kontrollierte Anstiegsgeschwindigkeit
Einstellbare Anstiegsgeschwindigkeitssteuerung
Power-Good-Ausgang
Thermische Abschaltung
Abschaltung bei Unterspannung
Überstromschutz
Eingangsspannungsbereich: 1 V bis 13,5 V.
Extrem niedriger Standby-Strom
