DiodesZetex DML10M8LDS Leistungsschalter-IC 10 mΩ 8-Pin 3 Ausg. V-DFN3030-8
- RS Best.-Nr.:
- 246-6784
- Herst. Teile-Nr.:
- DML10M8LDS-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 246-6784
- Herst. Teile-Nr.:
- DML10M8LDS-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 10mΩ | |
| Anzahl der Ausgänge | 3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3.2V | |
| Gehäusegröße | V-DFN3030-8 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Betriebsstrom | 6A | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.83mm | |
| Länge | 3.05mm | |
| Breite | 3.05 mm | |
| Serie | DML10M8LDS | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 10mΩ | ||
Anzahl der Ausgänge 3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Minimale Versorgungsspannung 3.2V | ||
Gehäusegröße V-DFN3030-8 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Pinanzahl 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Betriebsstrom 6A | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.83mm | ||
Länge 3.05mm | ||
Breite 3.05 mm | ||
Serie DML10M8LDS | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex ist ein einkanaliger Lastschalter mit sehr niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem kleinen Gehäuse. Er enthält einen N-Kanal-MOSFET für den Betrieb mit bis zu VVBIAS-1,5-V-Eingangsspannung und einen 6-A-Stromkanal mit 3,2 V bis 5,5 V Bias-Versorgung. Der Lastschalter wird über ein Niederspannungssteuersignal über EIN-Stift gesteuert. Der niedrige RDS(ON) sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden.
0,8 V bis VVBIAS-1,5 V Eingangsspannungsbereich 6 A Dauerstrom Niedriger Ruhestrom von 35 μA Einschaltanstiegszeit 10 μs Integrierter Schnellausgangs-Entladungswiderstand
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