Infineon BTS5120-2EKA Leistungsschalter-IC High-Side High-Side 240 mΩ 6 Ausg.
- RS Best.-Nr.:
- 258-7770
- Herst. Teile-Nr.:
- BTS51202EKAXUMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.743 | CHF.8.71 |
| 50 - 120 | CHF.1.481 | CHF.7.40 |
| 125 - 245 | CHF.1.397 | CHF.6.96 |
| 250 - 495 | CHF.1.292 | CHF.6.45 |
| 500 + | CHF.0.956 | CHF.4.79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-7770
- Herst. Teile-Nr.:
- BTS51202EKAXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Topologie des Netzschalters | High-Side | |
| Schaltertyp | High-Side | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 240mΩ | |
| Anzahl der Ausgänge | 6 | |
| Minimale Versorgungsspannung | -0.3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 28V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Betriebsstrom | 2.5A | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | BTS5120-2EKA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Topologie des Netzschalters High-Side | ||
Schaltertyp High-Side | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 240mΩ | ||
Anzahl der Ausgänge 6 | ||
Minimale Versorgungsspannung -0.3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 28V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Betriebsstrom 2.5A | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie BTS5120-2EKA | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der intelligente High-Side-Leistungsschalter von Infineon ist in einem offenen PG-DSO-14-40-Gehäuse eingebettet und bietet Schutz- und Diagnosefunktionen. Der Leistungstransistor besteht aus einem vertikalen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Ladungspumpe. Das Gerät ist in die SMART6-Technologie integriert. Das Produkt wurde speziell für die Steuerung von Leuchten und LED in anspruchsvollen Automobilumgebungen entwickelt.
Zweikanalgerät
Sehr niedriger Standstrom
Schutz gegen elektrostatische Entladung
Optimierte elektromagnetische Kompatibilität
Sehr niedriger DMOS-Leckstrom im AUS-Zustand
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