Toshiba 2 Leistungsschalter-IC Netzschalter Niederspannungsseite Low-Side 0.9 Ω 8-Pin 2 Ausg. SOP
- RS Best.-Nr.:
- 760-3277
- Herst. Teile-Nr.:
- TPD1030F(TE12L,Q)
- Marke:
- Toshiba
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- RS Best.-Nr.:
- 760-3277
- Herst. Teile-Nr.:
- TPD1030F(TE12L,Q)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Topologie des Netzschalters | Low-Side | |
| Schaltertyp | Netzschalter Niederspannungsseite | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 0.9Ω | |
| Nennleistung | 2W | |
| Anzahl der Eingänge | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Minimale Versorgungsspannung | -0.3V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 7V | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 110°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Höhe | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Topologie des Netzschalters Low-Side | ||
Schaltertyp Netzschalter Niederspannungsseite | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 0.9Ω | ||
Nennleistung 2W | ||
Anzahl der Eingänge 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Minimale Versorgungsspannung -0.3V | ||
Maximale Versorgungsspannung 7V | ||
Pinanzahl 8 | ||
Maximale Betriebstemperatur 110°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Höhe 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Intelligente Leistungsschalter (IPDs), Toshiba
Der TPD1030F ist ein 2-in-1-Schalter für die Niederspannungsseite
Der TPD2005F ist ein 8-Kanal-Array für die Hochspannungsseite
Der TPD2007F ist ein 8-Kanal-Array für die Niederspannungsseite
Schaltanwendungen für Motoren, Magnete und Lampentreiber
Netz- und Lastschalter, Toshiba
Integrierte intelligente Leistungsschaltkreise für die Hochspannungs- und Niederspannungsseite mit vielen Schutzfunktionen wie zum Beispiel Überstrom, Überspannung, Kurzschluss, offener Stromkreis , Überhitzung und Umpolen der Versorgungsspannung. Diese sehr integrierten Geräte nutzen MOSFET-Transistoren mit geringem Widerstand, um Verluste zu minimieren und einen hohen Wirkungsgrad zu garantieren.
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