STMicroelectronics OMNIFET II Leistungsschalter-IC OMNIFET: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET
- RS Best.-Nr.:
- 877-3131P
- Herst. Teile-Nr.:
- VND7NV04TR-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF.1.502 |
| 100 - 240 | CHF.1.428 |
| 250 - 490 | CHF.1.344 |
| 500 + | CHF.1.281 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 877-3131P
- Herst. Teile-Nr.:
- VND7NV04TR-E
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Topologie des Netzschalters | High-Side | |
| Produkt Typ | Leistungsschalter-IC | |
| Schaltertyp | OMNIFET: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET | |
| Einschaltwiderstand RdsOn | 120mΩ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 40V | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebsstrom | 6A | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | 2002/95/EC European Directive | |
| Serie | OMNIFET II | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Topologie des Netzschalters High-Side | ||
Produkt Typ Leistungsschalter-IC | ||
Schaltertyp OMNIFET: Vollständig automatisch geschützter Leistungs-MOSFET | ||
Einschaltwiderstand RdsOn 120mΩ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Maximale Versorgungsspannung 40V | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebsstrom 6A | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Breite 6.2 mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen 2002/95/EC European Directive | ||
Serie OMNIFET II | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vollständig automatisch geschützter OMNIFET-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics
Die Serie OMNIFET von vollständig automatisch geschützten Treibern auf der Niederspannungsseite wird gemessen an den Kriterien Robustheit und verbesserte Zuverlässigkeit. Diese Halbleiterrelaisschalter wurden für induktive oder ohmsche Lasten insbesondere in der Automobilindustrie entwickelt.
Lineare Strombegrenzung
thermische Abschaltung
Kurzschlussschutz
ESD-Schutz
Integrierte Klemme