Infineon NVRAM 1MBit 128K x 8 bit SMD, SOIC 16-Pin 10.49 x 7.59 x 2.36mm
- RS Best.-Nr.:
- 194-9096
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14V101QS-SF108XI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 194-9096
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14V101QS-SF108XI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128K x 8 bit | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Abmessungen | 10.49 x 7.59 x 2.36mm | |
| Länge | 10.49mm | |
| Breite | 7.59mm | |
| Höhe | 2.36mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,7 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 128K | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128K x 8 bit | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 16 | ||
Abmessungen 10.49 x 7.59 x 2.36mm | ||
Länge 10.49mm | ||
Breite 7.59mm | ||
Höhe 2.36mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Arbeitsspannnung min. 2,7 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 128K | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Cypress CY14V101QS kombiniert einen 1-Mbit-NVSRAM mit einer QPI-Schnittstelle. Der QPI ermöglicht das Schreiben und Lesen des Speichers entweder in einem einzigen (ein E/A-Kanal für ein Bit pro Taktzyklus), zwei (zwei E/A-Kanäle für zwei Bits pro Taktzyklus) oder vierfach (vier E/A-Kanäle für vier Bits pro Taktzyklus) durch die Verwendung ausgewählter Opcodes. Der Speicher ist als 128 KB organisiert, die jeweils aus SRAM- und nicht flüchtigen SONOS Quantum-Trap-Zellen bestehen. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die nichtflüchtigen Zellen eine äußerst zuverlässige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Zellen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus den nicht flüchtigen Zellen (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Anweisungen initiieren.
