Renesas Electronics NVRAM 32MB 2 M x 16 Parallel 45ns SMD, FBGA 48-Pin 10 x 10 x 1.35mm

Der M3xxx316 von Renesas ist ein magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher (MRAM). Er wird mit einer Dichte von 4Mbit bis 32Mbit angeboten. Die MRAM-Technologie ist analog zur Flash-Technologie mit SRAM-kompatiblen 35ns/35ns und 45ns/45ns Lese-/Schreib-Timings (Persistent SRAM, P-SRAM). Die Daten sind immer nicht flüchtig. Dies macht MRAM zu einer sehr zuverlässigen und schnellen nichtflüchtigen Speicherlösung. MRAM ist ein echter Direktzugriffsspeicher so dass sowohl Lese- als auch Schreibvorgänge im Speicher nach dem Zufallsprinzip erfolgen können. MRAM ist ideal für Anwendungen, bei denen Daten ohne große Latenzzeiten gespeichert und abgerufen werden müssen. Er bietet niedrige Latenzzeiten, geringen Stromverbrauch, praktisch unbegrenzte Ausdauer und Datenspeicherung, hohe Leistung und skalierbare Speichertechnologie.

Ideal für Anwendungen, bei denen Daten ohne große Latenzzeiten gespeichert und abgerufen werden müssen Schnittstelle ist Parallel Asynchronous x16 Verwendete Technologie ist 40nm pMTJ STT-MRAM Betriebsspannungsbereich ist 2,70V bis 3,60V Gehäusetyp ist 48-Ball FBGA (10mm x 10mm) RoHS-konform & REACH-konform