Broadcom ASSR-601JT, AEC-Q101 SMD 1 Optokoppler DC-In, 16-Pin SO, Isolation 5000 Vrms
- RS Best.-Nr.:
- 239-9303
- Herst. Teile-Nr.:
- ASSR-601JT-000E
- Marke:
- Broadcom
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Broadcom | |
| Montageart | SMD | |
| Produkt Typ | Optokoppler | |
| Durchlassspannung max. | 1.85V | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Verpackungsart | Band & Rolle oder Rohr | |
| Anzahl der Pins | 16 | |
| Gehäusegröße | SO | |
| Eingangsstrom Typ | DC | |
| Eingangsstrom max. | 30mA | |
| Isolationsspannung | 5000V eff. | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Logikausgang | Schließer (NO) | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC/EN/DIN EN 60747-5-5, UL1577, CSA | |
| Serie | ASSR-601JT | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Broadcom | ||
Montageart SMD | ||
Produkt Typ Optokoppler | ||
Durchlassspannung max. 1.85V | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Verpackungsart Band & Rolle oder Rohr | ||
Anzahl der Pins 16 | ||
Gehäusegröße SO | ||
Eingangsstrom Typ DC | ||
Eingangsstrom max. 30mA | ||
Isolationsspannung 5000V eff. | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Logikausgang Schließer (NO) | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen IEC/EN/DIN EN 60747-5-5, UL1577, CSA | ||
Serie ASSR-601JT | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Broadcom ASSR-601JT ist ein Hochspannungs-Foto-MOSFET, der für Kfz-Anwendungen entwickelt wurde. Der ASSR-601JT besteht aus einer AlGaAs Infrarot-Lichtleuchtdiode (LED) Eingangsstufe, die optisch mit einem Hochspannungs-Ausgangsdetektorstromkreis gekoppelt ist. Der Detektor besteht aus einem Hochgeschwindigkeits-Photovoltaik-Dioden-Array und Treiberschaltkreis zum Ein/Aus von zwei diskreten Hochspannungs-MOSFETs. Der Foto-MOSFET schaltet sich ein (Kontakt schließt) mit einem minimalen Eingangsstrom von 7 mA durch die Eingangs-LED ein. Der Foto-MOSFET schaltet sich aus (Kontakt öffnet) bei einer Eingangsspannung von 0,4 V oder weniger.
Kompakter bidirektionaler Halbleiter-Signalschalter
Qualifiziert gemäß AEC-Q101 Prüfrichtlinien
Durchschlagsspannung, BVDSS 1500 V bei IDSS = 250 μA
Avalanche-Nenn-MOSFETs,
Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(ON) <250 Ω bei ILOAD = 10 mA
Einschaltzeit TON < 4 ms
Abschaltzeit TOFF <05 ms
Gehäuse 300 mil SO-16
Ausbruch und Abstand ≥ 8 mm (Eingang-Ausgang)
Ausbruch > 5 mm (zwischen Drain-Stiften von MOSFETs)
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