onsemi NPN Darlington-Transistor 60 V 8 A HFE:1000, TO-220 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 774-3653
- Herst. Teile-Nr.:
- TIP120G
- Marke:
- onsemi
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- TIP120G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Typ | NPN | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 8 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 60 V | |
| Basis-Emitter Spannung max. | 5 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gleichstromverstärkung min. | 1000 | |
| Kollektor-Basis-Spannung max. | 60 V | |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. | 4 V | |
| Kollektor-Abschaltstrom max. | 0.5mA | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Verlustleistung max. | 65 W | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Höhe | 4.82mm | |
| Breite | 10.28mm | |
| Abmessungen | 15.75 x 10.28 x 4.82mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Typ NPN | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 8 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 60 V | ||
Basis-Emitter Spannung max. 5 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gleichstromverstärkung min. 1000 | ||
Kollektor-Basis-Spannung max. 60 V | ||
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. 4 V | ||
Kollektor-Abschaltstrom max. 0.5mA | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 15.75mm | ||
Verlustleistung max. 65 W | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
Höhe 4.82mm | ||
Breite 10.28mm | ||
Abmessungen 15.75 x 10.28 x 4.82mm | ||
NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor
Normen
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen.
Der on Semiconductor TIP120G ist ein bipolarer NPN Darlington-Leistungstransistor mit mittlerer Leistung. Er wurde für den Einsatz als Ausgabegerät für allgemeine Verstärker- und Niederspannungs-Schaltanwendungen entwickelt.
Der TIP120G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Kompaktes Gehäuse
• NPN-Polarität
Der TIP120G wird in einem durchkontaktierten TO-220AB-Kunststoffgehäuse geliefert.
• Hohe Gleichstromverstärkung
• Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
• Monolithische Bauweise
• Integrierter Basis-Emitter-Shunt-Widerstand
• Kompaktes Gehäuse
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