onsemi Zünd-IGBT / 41 A, 400 V 150 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche

RS Best.-Nr.:: 807-0767
Herst. Teile-Nr.:: FGD3040G2-F085
Marke:: onsemi

onsemi Zünd-IGBT / 41 A, 400 V 150 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 807-0767
Herst. Teile-Nr.:: FGD3040G2-F085
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Produkt Typ	Zünd-IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	41A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	400V
	Maximale Verlustleistung Pd	150W
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Pinanzahl	3
	Schaltgeschwindigkeit	1MHz
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.5V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	±10 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Serie	EcoSPARK2
	Energie	300mJ
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Produkt Typ Zünd-IGBT
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 41A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 400V
	Maximale Verlustleistung Pd 150W
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Kabelkanaltyp Typ N
	Pinanzahl 3
	Schaltgeschwindigkeit 1MHz
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±10 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Serie EcoSPARK2
	Energie 300mJ
	Automobilstandard AEC-Q101

IGBT für Automobilzündung, Fairchild Semiconductor

Die IGBT-Bauelemente EcoSPARK sind für die Versorgung von Zündspulen im Kfz-Bereich vorgesehen. Sie wurden einem Belastungstest unterzogen und entsprechen der Norm AEC-Q101.

Merkmale

• Logikebenen-Gate-Ansteuerung

• ESD-Schutz

• Anwendungen: Zündspulen-Treiberschaltkreise für den Kfz-Bereich, Spule-an-Stecker-Anwendungen

RS-Produktcodes

864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK;

864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2;

807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK;

864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK;

864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220;

864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2;

864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK;

807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK;

864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2;

864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220;

807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220;

862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK

IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Note

Die angegebenen Nennströme gelten bei einer Verbindungstemperatur von Tc = +110 °C.

Standards

AEC-Q101