Nexperia Kleinsignaldiode Isoliert 215mA 2 Element/Chip SMD 75V SOT-143 4-Pin Siliziumverbindung 1.25V
- RS Best.-Nr.:
- 103-7549
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS28,215
- Marke:
- Nexperia
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 103-7549
- Herst. Teile-Nr.:
- BAS28,215
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Durchlassstrom max. | 215mA | |
| Diodenkonfiguration | Isoliert | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Sperrspannung max. | 75V | |
| Gehäusegröße | SOT-143 | |
| Diodentechnologie | Siliziumverbindung | |
| Maximaler Spannungsabfall | 1.25V | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | –65 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Abmessungen | 3 x 1.4 x 1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Durchlassstrom max. 215mA | ||
Diodenkonfiguration Isoliert | ||
Montage-Typ SMD | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Sperrspannung max. 75V | ||
Gehäusegröße SOT-143 | ||
Diodentechnologie Siliziumverbindung | ||
Maximaler Spannungsabfall 1.25V | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. –65 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Höhe 1mm | ||
Abmessungen 3 x 1.4 x 1mm | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
- Ursprungsland:
- CN
Lösungen für Hochspannungssysteme. Unsere mittels Planartechnologie hergestellten ≥ 100-V-Dioden liefern eine Schaltgeschwindigkeit von bis zu 4 ns (max.). Sie unterstützen kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte und sind in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen.
Der BAS28 besteht aus zwei mittels Planartechnologie hergestellten Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, die im kleinen SMD-SOT143-Gehäuse vergossen sind. Die Dioden sind nicht angeschlossen.
Kleines SMD-KunststoffgehäuseHohe Schaltgeschwindigkeit: max. 4 nsKontinuierliche Sperrspannnug: max. 75 VWiederkehrende Spitzensperrspannung: max. 85 VWiederkehrender Spitzendurchlassstrom: max. 500 mA.ZielanwendungsbereicheHochgeschwindigkeitsschalten, z. B. in oberflächenmontierten Schaltungen.
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