Nexperia Silizium-Verbindung Gemeinsame Anode 225 mA 200 V Oberfläche SOT-23 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 792-0793
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV23A,215
- Marke:
- Nexperia
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.081 | CHF 4.29 |
| 100 - 200 | CHF 0.081 | CHF 3.84 |
| 250 + | CHF 0.071 | CHF 3.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-0793
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV23A,215
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 225mA | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Gemeinsame Anode | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 50ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 200V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 9A | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Serie | BAV23A | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Maximaler Durchlassstrom If 225mA | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Gemeinsame Anode | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 50ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 200V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 9A | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Serie BAV23A | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kleinsignal-Schaltdioden, Nexperia
Merkmale
Unterstützt kundenspezifische Schaltungsaufbauten mit hoher Dichte
Typen mit geringem Leckstrom und Hochspannung sind erhältlich
Hohe Schaltgeschwindigkeiten
Niedrige Kapazität
Dioden und Gleichrichter
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