Taiwan Semiconductor Silizium-Verbindung Einfach 1 A 200 V Oberfläche Sub SMA 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 169-9306
- Herst. Teile-Nr.:
- ES1DL R2
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- RS Best.-Nr.:
- 169-9306
- Herst. Teile-Nr.:
- ES1DL R2
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 1A | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | Sub SMA | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 30A | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 35ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 950mV | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 200V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1.43mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 1A | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße Sub SMA | ||
Pinanzahl 2 | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 30A | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 35ns | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 950mV | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 200V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1.43mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
Gleichrichterdioden, 1 A, Taiwan Semiconductor
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