Nexperia Diode Serie 175 mA 100 V Oberfläche SOT-323 3-Pin

RS Best.-Nr.:: 170-8056
Herst. Teile-Nr.:: BAV70W,135
Marke:: Nexperia

Nexperia Diode Serie 175 mA 100 V Oberfläche SOT-323 3-Pin

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RS Best.-Nr.:: 170-8056
Herst. Teile-Nr.:: BAV70W,135
Marke:: Nexperia

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Produkt Typ	Diode
	Maximaler Durchlassstrom If	175mA
	Diodenkonfiguration	Serie
	Montageart	Oberfläche
	Subtyp	Schaltdiode
	Gehäusegröße	SOT-323
	Pinanzahl	3
	Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm	4A
	Betriebstemperatur min.	-65°C
	Spitzensperrverzögerungszeit trr	4ns
	Maximale Verlustleistung Pd	200mW
	Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm	100V
	Maximale Durchlassspannung Vf	1.25V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Serie	BAV70
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	2.2mm
	Höhe	1mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Produkt Typ Diode
	Maximaler Durchlassstrom If 175mA
	Diodenkonfiguration Serie
	Montageart Oberfläche
	Subtyp Schaltdiode
	Gehäusegröße SOT-323
	Pinanzahl 3
	Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 4A
	Betriebstemperatur min. -65°C
	Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns
	Maximale Verlustleistung Pd 200mW
	Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 100V
	Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Serie BAV70
	Normen/Zulassungen No
	Länge 2.2mm
	Höhe 1mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet

Mittels Planartechnologie hergestellte Hochgeschwindigkeitsschaltdioden mit einer maximalen Schaltgeschwindigkeit von 4 ns. Unterstützt kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte, die in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen sind.

Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, vergossen in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.

Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 nsNiedrige Kapazität: Cd ≤ 1,5 pFNiedriger LeckstromSperrspannung: VR ≤ 100 VKleine SMD-KunststoffgehäuseZielanwendungsbereicheHochgeschwindigkeitsschaltenUniverselles Schalten

Nexperia Diode Serie 175 mA 100 V Oberfläche SOT-323 3-Pin

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