Nexperia Silizium-Verbindung Serie 200 mA 100 V Oberfläche SC-88 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 178-7112
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV99S,115
- Marke:
- Nexperia
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- RS Best.-Nr.:
- 178-7112
- Herst. Teile-Nr.:
- BAV99S,115
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Diodenkonfiguration | Serie | |
| Produkt Typ | Silizium-Verbindung | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 200mA | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumverbindung | |
| Gehäusegröße | SC-88 | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 4ns | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 100V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 4A | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | BAV99 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Diodenkonfiguration Serie | ||
Produkt Typ Silizium-Verbindung | ||
Maximaler Durchlassstrom If 200mA | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumverbindung | ||
Gehäusegröße SC-88 | ||
Pinanzahl 6 | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 4ns | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 100V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 4A | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie BAV99 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Mittels Planartechnologie hergestellte Hochgeschwindigkeitsschaltdioden mit einer maximalen Schaltgeschwindigkeit von 4 ns. Unterstützt kundenspezifische Schaltungskonstruktionen mit hoher Dichte, die in hermetisch verschlossenen Gehäusen vergossen sind.
Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, vergossen in kleinen SMD-Kunststoffgehäusen.
Hohe Schaltgeschwindigkeit: trr ≤ 4 nsNiedrige Kapazität: Cd ≤ 1,5 pFNiedriger LeckstromSperrspannung: VR ≤ 100 VKleine SMD-KunststoffgehäuseZielanwendungsbereicheHochgeschwindigkeitsschaltenUniverselles Schalten
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