onsemi Schaltdiode Einfach 23.4 A 650 V Oberfläche TO-252 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 202-7285
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSD2065B
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
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- FFSD2065B
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 23.4A | |
| Produkt Typ | Schaltdiode | |
| Subtyp | Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 2.4V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160mW | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 650V | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 763A | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 10.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 23.4A | ||
Produkt Typ Schaltdiode | ||
Subtyp Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 2.4V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160mW | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 650V | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 763A | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 10.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Die on Semiconductor Siliziumkarbid (Sic) Schottky-Dioden verwenden eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern.
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
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