onsemi Schaltdiode Einfach 23.4 A 650 V Oberfläche TO-252 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 202-7286
- Herst. Teile-Nr.:
- FFSD2065B
- Marke:
- onsemi
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- FFSD2065B
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Schaltdiode | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 23.4A | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Subtyp | Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160mW | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 2.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 763A | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Schaltdiode | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 23.4A | ||
Montageart Oberfläche | ||
Subtyp Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160mW | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 2.4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 763A | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Die on Semiconductor Siliziumkarbid (Sic) Schottky-Dioden verwenden eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, von der Temperatur unabhängiges Schalten und ausgezeichnete Wärmeleistung machen Siliziumkarbid zur nächsten Generation von Leistungshalbleitern.
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Positiver Temperaturkoeffizient
Einfacher Parallelbetrieb
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