Power Integrations SiC-Schottky Einfach 12 A 600 V Durchsteckmontage TO-220 2-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 231-8074
- Herst. Teile-Nr.:
- QH12TZ600Q
- Marke:
- Power Integrations
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.1.475 | CHF.7.36 |
| 10 - 10 | CHF.1.434 | CHF.7.16 |
| 15 - 15 | CHF.1.394 | CHF.6.97 |
| 20 - 20 | CHF.1.364 | CHF.6.80 |
| 25 + | CHF.1.323 | CHF.6.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 231-8074
- Herst. Teile-Nr.:
- QH12TZ600Q
- Marke:
- Power Integrations
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Power Integrations | |
| Diodenkonfiguration | Einfach | |
| Maximaler Durchlassstrom If | 12A | |
| Produkt Typ | SiC-Schottky | |
| Subtyp | SiC-Schottky | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Spitzensperrverzögerungszeit trr | 20.5ns | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 61mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm | 100A | |
| Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm | 600V | |
| Maximale Durchlassspannung Vf | 3.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 30.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Power Integrations | ||
Diodenkonfiguration Einfach | ||
Maximaler Durchlassstrom If 12A | ||
Produkt Typ SiC-Schottky | ||
Subtyp SiC-Schottky | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Pinanzahl 2 | ||
Spitzensperrverzögerungszeit trr 20.5ns | ||
Maximale Verlustleistung Pd 61mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Nicht-repetitiver Spitzendurchlassstoßstrom Ifsm 100A | ||
Maximale Spitzensperrwiederholspannung Vrrm 600V | ||
Maximale Durchlassspannung Vf 3.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 30.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Power Integrations SiC-Ersatzdiode der Serie Qspeed H hat die niedrigste Qrr von jeder 600-V-Siliziumdiode. Seine Wiederherstellungseigenschaften erhöhen die Effizienz, reduzieren elektromagnetische Störungen und beseitigen Stöber. Er ersetzt SiC-Dioden für ähnliche Effizienzleistungen in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz.
Eigenschaften und Vorteile
Niedriger Qrr, niedriger IRRM, niedriger TRR
Hohe DIF/dt-Fähigkeit (1000 A/μs)
Weiche Erholung
AEC-Q101-qualifiziert
FAB-, Montage- und Prüfbescheinigung gemäß IATF 16949
Keine Notwendigkeit für Klemm-Stromkreise
Reduziert die Größe und Anzahl der EMI-Filterkomponenten
Ermöglicht extrem schnelles Schalten
Anwendungen
Leistungsfaktorkorrektur-Boost-Diode im integrierten Ladegerät
Ausgangsgleichrichter des integrierten Ladegeräts
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