- RS Best.-Nr.:
- 231-8074
- Herst. Teile-Nr.:
- QH12TZ600Q
- Marke:
- Power Integrations
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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
CHF.1.386
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 - 5 | CHF.1.386 | CHF.6.941 |
10 - 10 | CHF.1.355 | CHF.6.752 |
15 - 15 | CHF.1.313 | CHF.6.573 |
20 - 20 | CHF.1.281 | CHF.6.405 |
25 + | CHF.1.25 | CHF.6.248 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 231-8074
- Herst. Teile-Nr.:
- QH12TZ600Q
- Marke:
- Power Integrations
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Power Integrations SiC-Ersatzdiode der Serie Qspeed H hat die niedrigste Qrr von jeder 600-V-Siliziumdiode. Seine Wiederherstellungseigenschaften erhöhen die Effizienz, reduzieren elektromagnetische Störungen und beseitigen Stöber. Er ersetzt SiC-Dioden für ähnliche Effizienzleistungen in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz.
Eigenschaften und Vorteile
Niedriger Qrr, niedriger IRRM, niedriger TRR
Hohe DIF/dt-Fähigkeit (1000 A/μs)
Weiche Erholung
AEC-Q101-qualifiziert
FAB-, Montage- und Prüfbescheinigung gemäß IATF 16949
Keine Notwendigkeit für Klemm-Stromkreise
Reduziert die Größe und Anzahl der EMI-Filterkomponenten
Ermöglicht extrem schnelles Schalten
Hohe DIF/dt-Fähigkeit (1000 A/μs)
Weiche Erholung
AEC-Q101-qualifiziert
FAB-, Montage- und Prüfbescheinigung gemäß IATF 16949
Keine Notwendigkeit für Klemm-Stromkreise
Reduziert die Größe und Anzahl der EMI-Filterkomponenten
Ermöglicht extrem schnelles Schalten
Anwendungen
Leistungsfaktorkorrektur-Boost-Diode im integrierten Ladegerät
Ausgangsgleichrichter des integrierten Ladegeräts
Ausgangsgleichrichter des integrierten Ladegeräts
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Durchlassstrom max. | 12A |
Diodenkonfiguration | Einfach |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Montage-Typ | THT |
Sperrspannung max. | 600V |
Gehäusegröße | TO-220AC |
Diodentechnologie | SiC-Schottky |
Pinanzahl | 2 |